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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/20页 |
| 文件大小： | 1263K |
| 描述： | RF FET LDMOS 50V NI1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
Zo
=10?
Zsource
f = 470 MHz
f = 860 MHz
f = 470 MHz
f = 860 MHz
Zload
VDD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
= 125 W Avg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
470
1.96 -- j3.13
5.30 + j1.92
500
1.91 -- j2.46
4.65 + j1.95
530
1.88 -- j1.86
4.50 + j2.35
560
1.91 -- j1.37
4.71 + j2.66
590
1.93 -- j0.94
5.40 + j2.75
620
1.99 -- j0.49
5.93 + j2.29
650
2.11 -- j0.14
6.03 + j1.81
680
2.17 + j0.02
6.04 + j1.45
710
2.14 + j0.26
5.58 + j0.95
740
2.11 + j0.32
5.37 + j0.80
770
1.92 + j0.56
4.80 + j0.56
800
1.65 + j0.91
4.78 + j0.55
830
1.50 + j1.07
4.59 + j0.45
860
0.95 + j1.72
3.93 + j0.11
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Figure 22. Broadband Series Equivalent Source and Load Impedance ? 470--860 MHz
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84312C90B104 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| MC22FD122J-TF | CAP MICA 1200PF 500V 5% 2220 |
| MTM8106DRA04 | SW TOGGLE SPDT SHORT LVR RA PC |
| B84312F60B1 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| MC22FD112J-TF | CAP MICA 1100PF 500V 5% 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
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