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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 1263K |
| 描述： | RF FET LDMOS 50V NI1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
Figure 15. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Broadband Test Circuit Schematic ? 470--860 MHz
RF
INPUT
Z1
Q1
Z56
C8
Z33
Z35
Z37
COAX1
COAX2
Z49
C1
Z50
Z38
C27
Z34
Z36
C2
Z27
Z28
VBIAS
VSUPPLY
C18
C19
+
Z2
Z5
Z6
C6
C7
Z7
Z8
C9
Z9
Z10
R1
Z24
R2
C13
C14
VBIAS
Z11
Z13
Z12
Z14
Z58
VSUPPLY
RF
Z55
OUTPUT
Z54
COAX3
COAX4
Z23
L2
Z26
Z15
Z16
L1
Z25
C31
C35
Z52
C34
C32
Z51
C20
Z59
Z57
C36
C33
Z53
Z47
Z48
Z43
Z45
Z44
Z46
Z41
Z42
Z39
Z40
C5
Z4
C4
Z3
C10
C11
Z17
Z18
C12
Z19
Z20
C15
C3
Z21
Z22
C28
C22
C30
C21
C29
C26
C25
C24
Z31
Z32
C23
Z29
Z30
C17
C16
C39
C40
+
C38
C37
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
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