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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 1263K |
| 描述： | RF FET LDMOS 50V NI1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION SHOULDER (dBc)
Figure 19. DVB--T (8k OFDM) Drain Efficiency, Power Gain and
IMD Shoulder versus Output Power ? 470--860 MHz
5--30860 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
5
25
10
-- 5
-- 1 5
Gps
VDD=
50 Vdc, IDQ
= 700 mA
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data
Carrier Modulation, 5 Symbols
30
15
ηD
20
IMD(1)
470 MHz
665 MHz
665 MHz
--
0
-- 1 0
860 MHz
-- 2 0
470 MHz
665 MHz
860 MHz
470 MHz
35
0 20040
80 120 160
-- 2 5
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
TC
=35°C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Broadband Power Gain and IRL versus Frequency
900
450
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
VDD=50Vdc,Pout
= 125 W Avg.
IDQ
= 1400 mA, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
10
21
17
13
19
15
C
-- 1 2
0
-- 3
500 600 700 800550 650 750 850
-- 4
-- 11
Gps
IRL
75°C
22
20
18
16
14
12
11
-- 1
-- 2
C
-- 5
-- 6
C
-- 1 0
-- 9
-- 7
-- 8
75°C
50°
50°
35°
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Broadband Drain Efficiency and IMD Shoulder versus Frequency
900
450
VDD=50Vdc,Pout
= 125 W Avg., IDQ
= 1400 mA
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
17
37
35
27
31
-- 3 5
-- 1 5
-- 1 9
-- 2 3
-- 1 7
-- 2 1
TC
=35°C
IMD(1)
ηD
35°C
75°C
500 600 700 800550 650 750 850
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
29
19
21
-- 2 5
-- 2 9
C
-- 2 7
C
-- 3 3
-- 3 1
50°
50°
75°C
33
25
23
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION SHOULDER (dBc)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84312C90B104 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| MC22FD122J-TF | CAP MICA 1200PF 500V 5% 2220 |
| MTM8106DRA04 | SW TOGGLE SPDT SHORT LVR RA PC |
| B84312F60B1 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| MC22FD112J-TF | CAP MICA 1100PF 500V 5% 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
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