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参数资料
| 型号： | MSP430F2370TRHAR |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 4/65页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 16BIT 32K FLASH 40-QFN |
| 产品培训模块： | The Ultra-Low Power MSP430 MSP430 Overview MSP430 Design Tools MSP430 Peripherals MSP430x2xx/4xx and Wireless Overview Portable Medical Solutions with MSP430 MSP430 for Utility Metering Solutions MSP430: How to JTAG MSP430, How To Use the Clock System Grace Software Graphical User Interface MCU Overview Driver Library MSP430Ware Overview |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | MSP430F2xx |
| 核心处理器： | RISC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | I²C，IrDA，LIN，SCI，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 32 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8 + 256B） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | 斜率 A/D |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 40-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | 296-23115-ND - TOOL FLASH EMU MSP430 40PIN RHA |
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MSP430F23x0
SLAS518E
– AUGUST 2006 – REVISED AUGUST 2011
Memory Organization
Table 11. Memory Organization
MSP430F2330
MSP430F2350
MSP430F2370
Memory
Size
8KB Flash
16KB Flash
32KB
Main: interrupt vector
Flash
0xFFFF - 0xFFC0
Main: code memory
Flash
0xFFFF - 0xE000
0xFFFF - 0xC000
0xFFFF - 0x8000
Information memory
Size
256 Byte
Flash
0x10FF - 0x1000
Boot memory
Size
1KB
ROM
0x0FFF - 0x0C00
RAM
Size
1KB
2KB
0x5FF - 0x0200
0x9FF - 0x0200
0x09FF - 0x0200
Peripherals
16
–bit
0x01FF - 0x0100
8
–bit
0x00FF - 0x0010
8
–bit SFR
0x000F - 0x0000
Bootstrap Loader (BSL)
The MSP430 bootstrap loader (BSL) enables users to program the flash memory or RAM using a UART serial
interface. Access to the MSP430 memory via the BSL is protected by user-defined password. For complete
description of the features of the BSL and its implementation, see the MSP430 Programming Via the Bootstrap
Loader User
’s Guide, literature number SLAU319.
Table 12. BSL Function Pins
BSL FUNCTION
YFF PACKAGE PINS
RHA PACKAGE PINS
Data transmit
C4 - P1.1
5 - P1.1
Data receive
C6 - P2.2
14 - P2.2
Flash Memory
The flash memory can be programmed via the JTAG port, the bootstrap loader, or in-system by the CPU. The
CPU can perform single-byte and single-word writes to the flash memory. Features of the flash memory include:
Flash memory has n segments of main memory and four segments of information memory (A to D) of
64 bytes each. Each segment in main memory is 512 bytes in size.
Segments 0 to n may be erased in one step, or each segment may be individually erased.
Segments A to D can be erased individually, or as a group with segments 0 to n.
Segments A to D are also called information memory.
Segment A contains calibration data. After reset, segment A is protected against programming and erasing. It
can be unlocked, but care should be taken not to erase this segment if the device-specific calibration data is
required.
12
Copyright
2006–2011, Texas Instruments Incorporated
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参数描述 |
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