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参数资料
| 型号： | MT42L128M32D2MH-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 121/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 4GBIT 134FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 4G（128M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 134-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 134-FBGA（11x11.5） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
AC and DC Logic Input Measurement Levels for Single-Ended
Signals
Input Signal
Figure 83: LPDDR2-466 to LPDDR2-1066 Input Signal
V IL and V IH levels with ringback
1.550V
V DD + 0.35V
narrow pulse width
Minimum V IL and V IH levels
1.200V
V DD
0.820V
0.730V
0.624V
0.612V
0.600V
0.588V
0.576V
0.470V
0.380V
V IH(AC)
V IH(DC)
V IL(DC)
V IL(AC)
Notes:
0.820V
0.730V
0.624V
0.612V
0.600V
0.588V
0.576V
0.470V
0.380V
0.000V
–0.350V
1. Numbers reflect typical values.
V IH(AC)
V IH(DC)
V REF + AC noise
V REF + DC error
V REF - DC error
V REF - AC noise
V IL(DC)
V IL(AC)
V SS
V SS - 0.35V
narrow pulse width
2. For CA[9:0], CK, CK#, and CS# V DD stands for V DDCA . For DQ, DM, DQS, and DQS#, V DD
stands for V DDQ .
3. For CA[9:0], CK, CK#, and CS# V SS stands for V SSCA . For DQ, DM, DQS, and DQS#, V SS
stands for V SSQ .
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
121
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