- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4046 > MT42L128M32D2MH-3 IT:A (Micron Technology Inc)IC LPDDR2 SDRAM 4GBIT 134FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT42L128M32D2MH-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 130/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 4GBIT 134FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 4G（128M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 134-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 134-FBGA（11x11.5） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页当前第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Output Characteristics and Operating Conditions
Table 76: Differential Output Slew Rate (Continued)
Value
Parameter
Differential output slew rate (output impedance = 60 Ω
Symbol
SRQ diff
Min
2.0
Max
5.0
Unit
V/ns
Notes:
1. Definitions: SR = slew rate; Q = output (similar to DQ = data-in, data-out); SE = single-
ended signals.
2. Measured with output reference load.
3. The output slew rate for falling and rising edges is defined and measured between
V OL(AC) and V OH(AC) .
4. Slew rates are measured under typical simultaneous switching output (SSO) conditions,
with one-half of DQ signals per data byte driving HIGH and one-half of DQ signals per
data byte driving LOW.
Table 77: AC Overshoot/Undershoot Specification
Applies for CA[9:0], CS#, CKE, CK, CK#, DQ, DQS, DQS#, D M
Parameter
Maximum peak amplitude provided for overshoot area
Maximum peak amplitude provided for undershoot area
Maximum area above V DD1
Maximum area below V SS2
1066
0.35
0.35
0.15
0.15
933
0.35
0.35
0.17
0.17
800
0.35
0.35
0.20
0.20
667
0.35
0.35
0.24
0.24
533
0.35
0.35
0.30
0.30
400
0.35
0.35
0.40
0.40
333
0.35
0.35
0.48
0.48
Unit
V
V
V/ns
V/ns
Notes:
1. V DD stands for V DDCA for CA[9:0], CK, CK#, CS#, and CKE. V DD stands for V DDQ for DQ,
DM, DQS, and DQS#.
2. V SS stands for V SSCA for CA[9:0], CK, CK#, CS#, and CKE. V SS stands for V SSQ for DQ, DM,
DQS, and DQS#.
Figure 91: Overshoot and Undershoot Definition
Maximum amplitude
Overshoot area
V DD
V SS
Time (ns)
Maximum amplitude
Undershoot area
Notes:
1. V DD stands for V DDCA for CA[9:0], CK, CK#, CS#, and CKE. V DD stands for V DDQ for DQ,
DM, DQS, and DQS#.
2. V SS stands for V SSCA for CA[9:0], CK, CK#, CS#, and CKE. V SS stands for V SSQ for DQ, DM,
DQS, and DQS#.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
130
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM43DRKF | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
| FMC44DRXS-S734 | CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD |
| ABB105DHAN | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 SLD |
| ABB105DHAD | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 SLD |
| MT42L128M32D2KL-3 IT:A | IC LPDDR2 SDRAM 4GBIT 168FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。