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参数资料
| 型号： | MT42L128M32D2MH-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 84/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 4GBIT 134FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 4G（128M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 134-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 134-FBGA（11x11.5） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
SELF REFRESH Operation
The mask bit to the bank enables or disables a refresh operation of the entire memory
space within the bank. If a bank is masked using the bank mask register, a REFRESH op-
eration to the entire bank is blocked and bank data retention is not guaranteed in self
refresh mode. To enable a REFRESH operation to a bank, the corresponding bank mask
bit must be programmed as “unmasked.” When a bank mask bit is unmasked, the array
space being refreshed within that bank is determined by the programmed status of the
segment mask bits.
Partial-Array Self Refresh – Segment Masking
Programming segment mask bits is similar to programming bank mask bits. For densi-
ties 1Gb and higher, eight segments are used for masking (see the MR17 PASR Segment
Mask (MA[7:0] = 011h) and MR17 PASR Segment Mask Definitions tables). A mode reg-
ister is used for programming segment mask bits up to eight bits. For densities less than
1Gb, segment masking is not supported.
When the mask bit to an address range (represented as a segment) is programmed as
“masked,” a REFRESH operation to that segment is blocked. Conversely, when a seg-
ment mask bit to an address range is unmasked, refresh to that segment is enabled.
A segment masking scheme can be used in place of or in combination with a bank
masking scheme. Each segment mask bit setting is applied across all banks. For seg-
ment masking bit assignments, see the tables noted above.
Table 45: Bank and Segment Masking Example
Segment Mask (MR17) Bank 0 Bank 1 Bank 2 Bank 3 Bank 4 Bank 5 Bank 6 Bank 7
Bank Mask (MR16)
0
1
0
0
0
0
0
1
Segment 0
Segment 1
Segment 2
Segment 3
Segment 4
Segment 5
Segment 6
Segment 7
0
0
1
0
0
0
0
1
–
–
M
–
–
–
–
M
M
M
M
M
M
M
M
M
–
–
M
–
–
–
–
M
–
–
M
–
–
–
–
M
–
–
M
–
–
–
–
M
–
–
M
–
–
–
–
M
–
–
M
–
–
–
–
M
M
M
M
M
M
M
M
M
Note:
1. This table provides values for an 8-bank device with REFRESH operations masked to
banks 1 and 7, and segments 2 and 7.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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PDF描述 |
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