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参数资料
| 型号： | MT42L128M64D4LD-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 151/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 220FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 8G（128M x 64） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 220-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 220-FBGA（14x14） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
CA and CS# Setup, Hold, and Derating
Table 90: Derating Values for AC/DC-Based t IS/ t IH (AC300)
Δ t IS, Δ t IH derating in p s
CK, CK# Differential Slew Rate
4.0 V/ns
3.0 V/ns
2.0 V/ns
1.8 V/ns
1.6 V/ns
1.4 V/ns
1.2 V/ns
1.0 V/ns
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS
Δ t IH
Δ t IS Δ t IH
CA, CS# slew
2.0
150
100
150
100
150
100
rate V/ns
1.5
100
67
100
67
100
67
116
83
1.0
0
0
0
0
0
0
16
16
32
32
0.9
-4
-8
-4
-8
12
8
28
24
44
40
0.8
-12
-20
4
-4
20
12
36
28
52
48
0.7
0.6
-3
-18
13
2
-2
-21
29
18
14
-5
45
34
34
15
61
50
66
47
0.5
0.4
-12
-32
4
-35
-12
-40
20
-11
20
-8
Note:
1. Shaded cells are not supported.
Table 91: Required Time for Valid Transition – t VAC > V IH(AC) and < V IL(AC)
Slew Rate
(V/ns)
>2.0
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
<0.5
t VAC
Min
75
57
50
38
34
29
22
13
0
0
at 300mV (ps)
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
t VAC
Min
175
170
167
163
162
161
159
155
150
150
at 220mV (ps)
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
151
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PDF描述 |
|---|---|
| MT42L128M64D4LC-3 IT:A | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 240FBGA |
| FMC49DRYI-S734 | CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD |
| GMC43DTES | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
| EMC43DTEI | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
| FMC43DRAI-S734 | CONN EDGECARD 86POS .100 R/A SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT42L192M32D2KQ-25 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:192MX32 LPDDR2 PLASTIC WIRELESS TEMP GREEN WFBGA 1.2V - Bulk |
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