- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4013 > MT42L128M64D4LD-3 IT:A (Micron Technology Inc)IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 220FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT42L128M64D4LD-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 71/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 220FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 8G（128M x 64） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 220-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 220-FBGA（14x14） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页当前第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
PRECHARGE Command
Figure 50: WRITE Burst Followed by PRECHARGE – WL = 1, BL = 4
T0
T1
T2
T3
T4
Tx
Tx + 1
Ty
Ty + 1
CK#
CK
WL = 1
CA[9:0]
Bank n
col addr
Col addr
Bank n
Bank n
row addr
Row addr
t WR
t RP
CMD
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVATE
NOP
Case 1: t DQSSmax
DQS#
DQS
t DQSSmax
Completion of burst WRITE
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
Case 2: t DQSSmin
DQS#
DQS
t DQSSmin
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
Transitioning data
Auto Precharge
Before a new row can be opened in an active bank, the active bank must be precharged
using either the PRECHARGE command or the auto precharge function. When a READ
or WRITE command is issued to the device, the auto precharge bit (AP) can be set to
enable the active bank to automatically begin precharge at the earliest possible mo-
ment during the burst READ or WRITE cycle.
If AP is LOW when the READ or WRITE command is issued, then normal READ or
WRITE burst operation is executed and the bank remains active at the completion of
the burst.
If AP is HIGH when the READ or WRITE command is issued, the auto precharge func-
tion is engaged. This feature enables the PRECHARGE operation to be partially or com-
pletely hidden during burst READ cycles (dependent upon READ or WRITE latency),
thus improving system performance for random data access.
READ Burst with Auto Precharge
If AP (CA0f) is HIGH when a READ command is issued, the READ with auto precharge
function is engaged.
These devices start an auto precharge on the rising edge of the clock BL/2 or BL/2 - 2 +
RU( t RTP/ t CK) clock cycles later than the READ with auto precharge command, which-
ever is greater. For auto precharge calculations see Table 43 (page 73).
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
71
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT42L128M64D4LC-3 IT:A | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 240FBGA |
| FMC49DRYI-S734 | CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD |
| GMC43DTES | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
| EMC43DTEI | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
| FMC43DRAI-S734 | CONN EDGECARD 86POS .100 R/A SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT42L192M32D2KQ-25 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:192MX32 LPDDR2 PLASTIC WIRELESS TEMP GREEN WFBGA 1.2V - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。