参数资料
型号: MT42L128M64D4LD-3 IT:A
厂商: Micron Technology Inc
文件页数: 37/164页
文件大小: 0K
描述: IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 220FBGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: 移动 LPDDR2 SDRAM
存储容量: 8G(128M x 64)
速度: 333MHz
接口: 并联
电源电压: 1.14 V ~ 1.3 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
封装/外壳: 220-VFBGA
供应商设备封装: 220-FBGA(14x14)
包装: 散装
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Ball Assignments and Descriptions
Figure 24: 220-Ball 2-Channel FBGA – 14mm x 14mm
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V DD2
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V SSQ
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DQS3#
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DM3
B-
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V SSQ
B-
DQ13
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DQ11
V SSQ
B-
DQ9
B-
DQS1#
B-
DM1
V SSQ
V SS
V DD2
B-
DQS0#
B-
DQ7
V SSQ
V SS
DNU
A
B
V DD1
NC
V DDQ
B-
DQ31
B-
DQ30
V DDQ
B-
DQ27
B-
DQ26
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B-
DQS3
V SSQ
V DDQ
B-
DQ14
B-
DQ12
V DDQ
B-
DQ10
B-
DQ8
B-
DQS1
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B-
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B-
DM0
B-
DQS0
V DDQ
B-
DQ6
NC
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B
C
D
A-
DQ16
A-
DQ18
A-
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B-
DQ5
V DDQ
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V SSQ
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DQS2
V SSQ
A-
DQ1
V SSQ
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DQ4
V SSQ
A-
DQ7
V SSQ
A-
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V SS
V DD2
V SS
A-
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DQ20
V DDQ
A-
DQ22
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DQS2#
A-
DM2
V DDQ
A-
DQ2
V DDQ
A-
DQ5
V DDQ
A-
DQS0#
V DDQ
V SSQ
V DD1
V DD2
A-
DQS1
A-
DQ19
A-
DQ23
A-
DQ0
A-
DQ3
A-
DQ6
A-
DQS0
A-
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A-
DM1
B-
DQ2
B-
DM2
B-
DQ21
B-
DQ19
B-
DQ16
A-CA1
A-
CS_0#
A-CK#
B-DQ1
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B-
DQS2
B-
DQS2#
B-
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B-
DQ18
V DD2
V DDQ
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A-CA2
A-CA3
A-
CS_1#
A-
CKE_0
A-CK
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V SSQ
B-
DQ23
V SSQ
B-
DQ20
V SSQ
B-
DQ17
V SS
A-CA0
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A-CA4
V SS
A-
CKE_1
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A-
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A-CA7
V DD2
V SS
AA
AB
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V DD1
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AC
AD
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DM3
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DQS3#
A-
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V SSQ
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V DDQ
A-
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DQ29
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A-
DQ31
V SSQ
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V DD2
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V DD1
B-ZQ
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V DDCA
V SSCA
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B-CA9
B-CA8
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B-CA7
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B-
V REF(CA)
V SS
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V DDCA
V SSCA
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B-CK
B-CK#
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CKE_1
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CKE_0
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CS_0#
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CS_1#
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B-
CA4
V SSCA
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V DDCA
B-CA3
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B-CA2
B-CA1
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B-CA0
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V DD2
V DD1
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V SS
DNU
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AF
AG
Top View (Ball Down)
Channel A
Channel B
Supply
Ground
DRAMZQ
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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参数描述
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