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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BABB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件页数： | 31/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BABB-856WT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
37
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Figure 29: READ Burst Suspend1
NOTE:
1. Non-default BCR settings: Latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
2. Clock rates below 50 MHz (tCLK > 20ns) are allowed as long as tCSP specifications are met.
A[20:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
CE#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VOH
VOL
tSP
tHD
High-Z
tOLZ
tACLK
LB#/UB#
VIH
VIL
tCLK
tSP
tHD
tCSP
tSP
tHD
tSP tHD
tKOH
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
UNDEFINED
DON’T CARE
VALID
ADDRESS
High-Z
tCBPH
tHZ
tOHZ
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
tBOE
tOHZ
tBOE
tOLZ
High-Z
VALID
ADDRESS
Table 27:
Burst READ Timing Parameters—Burst Suspend
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tACLK
6.5
10
ns
tHZ
8
ns
tBOE
20
ns
tKOH
22
ns
tCBPH
5
ns
tOHZ
8
ns
tCLK
9.62
20
15
20
ns
tOLZ
5
ns
tCSP
420
5
20
ns
tSP
3
ns
tHD
22
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95080-MB3P | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48LC16M8A2BC-75LIT:G | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| M95080-MB3TG/S | 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MM1K-67130V-45/883 | 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, CDIP48 |
| MM1K-67130V-55/883 | 1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT45W2MV16PFA-70 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2MX16 PSRAM PLASTIC WIRELESS TEMP FBGA 1.8V ASYNCH PSEUDO ST - Trays |
| MT45W2MW16BABB-706 L WT | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| MT45W2MW16BABB-706 L WT TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Tape and Reel |
| MT45W2MW16BABB-706 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM Async 1 32M-Bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA |
| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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