参数资料
型号: MT45W2MV16BABB-856WT
元件分类: SRAM
英文描述: 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54
封装: LEAD FREE, FBGA-54
文件页数: 36/55页
文件大小: 816K
代理商: MT45W2MV16BABB-856WT
2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
41
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Figure 33: WE#-Controlled Asynchronous WRITE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
A[20:0]
ADV#
CE#
LB#/UB#
OE#
WE#
WAIT
DQ[15:0]
IN
VIH
VIL
VALID ADDRESS
tWC
tCEW
tHZ
VALID INPUT
tAW
DON’T CARE
tWR
tDW
DQ[15:0]
OUT
VOH
VOL
tWHZ
tBW
tCW
tCEM
tLZ
tWP
tDH
tOW
tAS
tWPH
High-Z
Table 31:
Asynchronous WRITE Timing Parameters—WE#-Controlled
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAS
00
ns
tHZ
88
ns
tAW
70
85
ns
tLZ
10
ns
tBW
70
85
ns
tOW
55
ns
tCEM
10
s
tWC
70
85
ns
tCEW
1
7.5
1
7.5
ns
tWHZ
8
ns
tCW
70
85
ns
tWP
46
55
ns
tDH
0
ns
tWPH
10
ns
tDW
23
ns
tWR
0
ns
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