参数资料
型号: MT45W2MV16BABB-856WT
元件分类: SRAM
英文描述: 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54
封装: LEAD FREE, FBGA-54
文件页数: 51/55页
文件大小: 816K
代理商: MT45W2MV16BABB-856WT
2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
55
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Revision History
Rev. A, Advance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2/04
CR WRITE diagram titles updated to reflect WRITEs
followed by READ ARRAY operation.
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Last address not changed by software access
sequence.
Added on-chip sensor to TCR.
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Clarified software access.
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Initial Release
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