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参数资料
| 型号： | MT46V8M8 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4组，双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 2梅格× 8 × 4银行DDR SDRAM内存（2米× 8 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 30/69页 |
| 文件大小： | 2369K |
| 代理商： | MT46V8M8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页
30
64Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
64Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
Figure 18
Random WRITE Cycles
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
b
Bank,
Col
x
Bank,
Col
n
Bank,
Col
g
WRITE
Bank,
Col
a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
NOTE
: 1. DI
b
, etc. = data-in for column
b
, etc.
2.
b'
, etc. = the next data-in following DI
b
, etc., according to the programmed burst order.
3. Programmed burst length = 2, 4, or 8 in cases shown.
4. Each WRITE command may be to any bank.
T1n
T3n
T5n
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b'
DI
x
DI
x'
DI
n
DI
n'
DI
a
DI
a'
DI
g
DI
g'
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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