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参数资料
| 型号： | MT46V8M8 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4组，双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 2梅格× 8 × 4银行DDR SDRAM内存（2米× 8 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 66/69页 |
| 文件大小： | 2369K |
| 代理商： | MT46V8M8 |
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66
64Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
64Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
BANK WRITE – WITHOUT AUTO PRECHARGE
TIMING PARAMETERS
-7
-75
-8
SYMBOL
t
CH
t
CL
t
CK (2.5)
t
CK (2)
t
DH
t
DS
t
DQSH
t
DQSL
t
DQSS
t
DSS
MIN
0.45
0.45
7
7.5
0.5
0.5
0.35
0.35
0.75
0.2
MAX
0.55
0.55
12
12
MIN
0.45
0.45
7.5
10
0.5
0.5
0.35
0.35
0.75
0.2
MAX
0.55
0.55
12
12
MIN
0.45
0.45
8
10
0.6
0.6
0.35
0.35
0.75
0.2
MAX
0.55
0.55
12
12
UNITS
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
1.25
1.25
1.25
-7
-75
-8
SYMBOL
t
DSH
t
IH
t
IS
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
WPRE
t
WPRES
t
WPST
t
WR
MIN
0.2
1
1
45
15
15
0.25
0
0.4
15
MAX
MIN
0.2
1
1
45
20
20
0.25
0
0.4
15
MAX
MIN
0.2
1.1
1.1
50
20
20
0.25
0
0.4
15
MAX
UNITS
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
t
CK
ns
120,000
120,000
120,000
0.6
0.6
0.6
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
t
CK
t
CH
t
CL
t
IS
t
IS
t
IH
t
IS
t
IS
t
IH
t
IH
t
IH
t
IS
t
IH
RA
t
RCD
t
RAS
t
DSH
7
t
RP
t
WR
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6
T7
T8
T4n
NOTE:
1. DI
n
= data-out from column
n
; subsequent elements are provided in the programmed order.
2. Burst length = 4 in the case shown.
3. Disable auto precharge.
4.
“
Don
’
t Care
”
if A10 is HIGH at T8.
5. PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address.
6. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
7
.tDSH is applicable during tDQSS (MIN)
and is referenced from CK T4 or T5.
8
.tDSS is applicable during tDQSS (MAX)
and is referenced from CK T5 or T6.
NOP6
NOP6
COMMAND
5
3
ACT
RA
RA
Col
n
WRITE2
NOP6
ONE BANK
ALL BANKS
Bank
x
PRE
Bank
x
NOP6
NOP6
NOP6
t
DQSL
t
DQSH
t
WPST
t
DSS
8
t
DSH
7
t
DSS
8
Bank
x
4
DQ
1
DQS
DM
DI
b
tDS
tDH
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
t
DQSS (NOM)
x4: A0-A9
x8: A0-A8
x16: A0-A7
x4: A11
x8: A9, A11
x16: A8, A9, A11
t
WPRE
t
WPRES
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