- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296642 > MT48LC4M32LFB5-10ES:G 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT48LC4M32LFB5-10ES:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 33/69页 |
| 文件大小： | 6213K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
39
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
7. Not bank-specific; requires that all banks are idle.
8. May or may not be bank-specific; if all banks are to be precharged, all must be in a valid state for precharging.
9. Not bank-specific; BURST TERMINATE affects the most recent READ or WRITE burst, regardless of bank.
10. READs or WRITEs listed in the Command (Action) column include READs or WRITEs with auto precharge enabled and
READs or WRITEs with auto precharge disabled.
11. Does not affect the state of the bank and acts as a NOP to that bank.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| MT4JSF6464HIY-80BXX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4JSF6464HY-1G4XX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4LC16M4A7DJ-6S | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。