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参数资料
| 型号： | MT48LC4M32LFB5-10ES:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 46/69页 |
| 文件大小： | 6213K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页当前第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
50
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 37: Clock Suspend Mode
NOTE:
1. For this example, the burst length = 2, the CAS latency = 3, and auto precharge is disabled.
2. x16:A9 and A11 = “Don’t Care”
x32:A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
tCH
tCL
tAC
tLZ
DQMU, DQML
CLK
A0-A9, A112
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
BANK
tDH
DIN e
tAC
tHZ
DOUT m + 1
COMMAND1
tCMH
tCMS
NOP
READ
WRITE
CKE
tCKS tCKH
BANK
COLUMN m
tDS
DIN e + 1
NOP
tCKH
tCKS
tCMH
tCMS
2
COLUMN e2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
tCK
DON’T CARE
UNDEFINED
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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