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参数资料
| 型号： | MTB2P50ET4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1183pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MTB2P50E
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
3.5
3
2.5
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
6V
7V
8V
4
3.5
3
2.5
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
100 ° C
2
1.5
2
1.5
25 ° C
1
0.5
5V
4V
1
0.5
0
0
4
8
12 16
20 24
28
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
10
8
6
4
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
25 ° C
? 55 ° C
6
5.75
5.5
5.25
5
4.75
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
15 V
2
4.5
4.25
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5
3
3.5
4
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
2
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
1
V GS = 10 V
I D = 1 A
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
100 ° C
25 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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