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参数资料
| 型号： | MTB2P50ET4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1183pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MTB2P50E
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK 3
CASE 418B?04
ISSUE J
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
?B?
E
V
W
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B?01 THRU 418B?03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B?04.
4
DIM
A
INCHES
MIN MAX
0.340 0.380
MILLIMETERS
MIN MAX
8.64 9.65
1
2
3
S
A
B
C
D
E
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
9.65 10.29
4.06 4.83
0.51 0.89
1.14 1.40
F
0.310 0.350
7.87 8.89
?T?
SEATING
PLANE
G
K
J
W
G
H
J
K
L
0.100 BSC
0.080 0.110
0.018 0.025
0.090 0.110
0.052 0.072
2.54 BSC
2.03 2.79
0.46 0.64
2.29 2.79
1.32 1.83
D 3 PL
H
M
N
P
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
7.11 8.13
5.00 REF
2.00 REF
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
0.13 (0.005)
M
R
T B
M
N
U
P
R 0.039 REF
S 0.575 0.625
V 0.045 0.055
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
0.99 REF
14.60 15.88
1.14 1.40
M
F
VIEW W?W
1
L
M
F
VIEW W?W
2
L
M
F
VIEW W?W
3
L
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
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