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参数资料
| 型号： | MTD2N40E |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | MTD2N40E |
MTD2N40E
http://onsemi.com
11
Notes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD2N50E1 | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD2N50E | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3302 | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTD4N20E | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20E1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD2N40ET4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTD2N50 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT |
| MTD2N50E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM |
| MTD2N50E1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTD3010N | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
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