参数资料
型号: MTP50P03HDLG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
产品目录绘图: MOSFET TO-220, TO-220AB
标准包装: 50
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 25A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4900pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MTP50P03HDLGOS
MTP50P03HDL
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P (pk)
0.1
R q JC (t) = r(t) R q JC
0.02
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
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