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参数资料
| 型号： | MTW32N20EG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 32A TO247 |
| 产品变化通告： | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247AE |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MTW32N20EGOS |
MTW32N20E
SAFE OPERATING AREA
1000
200
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
750
600
I D = 32 A
.1
20
10
2
1
10
450
300
1
0.2
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
150
0.1
1
2
10
20
100
200
1000
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.002
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
R q JC = 0.7 ° C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
0.001
0.01
0.02
0.1
0.2
1
2
10
20
100
200
1000
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MTW32N25E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM |
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