型号: | NAND04GW4B3BN1F |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
封装: | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
文件页数: | 26/59页 |
文件大小: | 998K |
代理商: | NAND04GW4B3BN1F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NN514405LZ-45 | 1M X 4 EDO DRAM, 45 ns, PZIP20 |
NM93CS46ALEN | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
NM24W04UM8 | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 |
NM24W04UN | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
NAND512W3A0CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NAND08GAH0BZA5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
NAND08GR3B4CZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |