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参数资料
| 型号： | NAND04GW4B3BN1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 28/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GW4B3BN1F |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Blocks Lock-Down
The Lock-Down feature provides an additional lev-
el of protection. A Locked-down block cannot be
unlocked by a software command. Locked-Down
blocks can only be unlocked by setting the Write
Protect signal to Low for a minimum of 100ns.
Only locked blocks can be locked-down. The com-
mand has no affect on unlocked blocks.
Refer to Figure 25., Command Latch AC Wave-
forms for details on how to issue the command.
Block Lock Status
In Block Lock mode (PRL High) the Block Lock
Status of each block can be checked by issuing a
Read Block Lock Status command (see Table
The command consists of:
■
one bus cycle to give the command code
■
three bus cysles to give the block address
After this, a read cycle will then output the Block
Lock Status on the I/O pins on the falling edge of
Chip Enable or Read Enable, whichever occurs
last. Chip Enable or Read Enable do not need to
be toggled to update the status.
The Read Block Lock Status command will not be
accepted while the device is busy (RB Low).
The device will remain in Read Block Lock Status
mode until another command is issued.
If the device is not in the Block Lock mode (PRL
Low) the Block Status can be read in the Status
Register using the Read Status Register com-
mand.
Figure 20. Read Block Lock Status Operation
Note: Three address cycles are required for 2,4 and 8 Gb devices. The 512Mb and 1Gb devices only require two address cycles.
Table 16. Block Lock Status
Note: X = Don’t Care.
Status
I/O7-I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
Locked
X
0
1
0
Unlocked
X
1
0
Locked-Down
X
0
1
Unlocked in Locked-
Down Area
X1
0
1
I/O
R
Block Address, 3 cycles
ai08669
7Ah
Read Block Lock
Status Command
Add1
Add2
Add3
Dout
Block Lock Status
tWHRL
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NN514405LZ-45 | 1M X 4 EDO DRAM, 45 ns, PZIP20 |
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| NM24W04UM8 | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| NM24W04UN | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| NAND512W3A0CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GR3B4CZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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