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参数资料
| 型号： | NAND04GW4B3BN1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 58/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GW4B3BN1F |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
8/59
Table 2. Product Description
Note: 1. Both Single and Dual Die devices.
2. Dual Die devices only.
Figure 2. Logic Block Diagram
Reference
Part Number
Density
Bus
Width
Page
Size
Block
Size
Memory
Array
Operating
Voltage
Timings
Packages
Random
Access
(max)
Sequential
Access
(min)
Page
Program
(typ)
Block
Erase (typ)
NAND512-B
NAND512R3B
512Mbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
512 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
USOP48
VFBGA63
NAND512W3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND512R4B
x16
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND512W4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND01G-B
NAND01GR3B
1Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
1024 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
USOP48
VFBGA63
NAND01GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND01GR4B
x16
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND01GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND02G-B
NAND02GR3B
2Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
2048 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48(1)
TFBGA63(2)
NAND02GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND02GR4B
x16
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND02GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND04G-B
NAND04GR3B
4Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
4096 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
NAND04GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND04GR4B
x16
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND04GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND08G-B
NAND08GR3B
8Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
8192 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
LFBGA63
NAND08GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND08GR4B
x16
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND08GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
Address
Register/Counter
Command
Interface
Logic
P/E/R Controller,
High Voltage
Generator
WP
I/O Buffers & Latches
I/O8-I/O15, x16
E
W
AI09373b
R
Y Decoder
Page Buffer
NAND Flash
Memory Array
X
Decoder
I/O0-I/O7, x8/x16
Command Register
CL
AL
Cache Register
RB
PRL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
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| NAND08GR3B4CZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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