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参数资料
| 型号： | NAND04GW4B3BN1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 42/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GW4B3BN1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页当前第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 29. Read Status Register AC Waveform
Figure 30. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: 1. Refer to Table 14. for the values of the Manufacturer and Device Codes, and to Table 15. for the information contained in Byte4.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h/ 72h/
73h/ 74h/ 75h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08666
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667
(Read ES Access time)
tALLRL1
00h
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NN514405LZ-45 | 1M X 4 EDO DRAM, 45 ns, PZIP20 |
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| NM24W04UM8 | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| NM24W04UN | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| NAND512W3A0CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GR3B4CZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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