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参数资料
| 型号： | NAND08GW3B3AZB6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 2/59页 |
| 文件大小： | 1154K |
| 代理商： | NAND08GW3B3AZB6F |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Figure 4. TSOP48 and USOP48 Connections,
x8 devices
Figure 5. TSOP48 and USOP48 Connections,
x16 devices
I/O3
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NC
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I/O2
I/O6
R
RB
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I/O12
I/O10
I/O4
I/O7
AI09375
NAND Flash
(x16)
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25
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I/O8
E
I/O1
I/O11
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O13
I/O15
I/O5
VSS
NC
VSS
I/O0
NC
PRL
NC
VDD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B3AZB6 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND256R3A1BN1F | 32M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R3A3BZA6F | 32M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
| NAND256R3A3CN1E | 32M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R4A1DN1E | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3C2AE01 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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