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参数资料
| 型号： | NAND08GW3B3AZB6F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 51/59页 |
| 文件大小： | 1154K |
| 代理商： | NAND08GW3B3AZB6F |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 41. TFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 29. TFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.0472
A1
0.25
0.0098
A2
0.80
0.0315
b
0.45
0.40
0.50
0.0177
0.0157
0.0197
D
9.50
9.40
9.60
0.3740
0.3701
0.3780
D1
4.00
0.1575
D2
7.20
0.2835
ddd
0.10
0.0039
E
12.00
11.90
12.10
0.4724
0.4685
0.4764
E1
5.60
0.2205
E2
8.80
0.3465
e
0.80
–
–0.0315–
–
FD
2.75
0.1083
FD1
1.15
0.0453
FE
3.20
0.1260
FE1
1.60
0.0630
SD
0.40
0.0157
SE
0.40
0.0157
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z68
ddd
FD
D1
E1
e
FE
BALL "A1"
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B3AZB6 | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND256R3A1BN1F | 32M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R3A3BZA6F | 32M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
| NAND256R3A3CN1E | 32M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R4A1DN1E | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3C2AE01 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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