参数资料
型号: NAND512R3B3BZA6E
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: PROM
英文描述: 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封装: 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件页数: 2/59页
文件大小: 998K
代理商: NAND512R3B3BZA6E
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
10/59
Figure 4. TSOP48 and USOP48 Connections,
x8 devices
Figure 5. TSOP48 and USOP48 Connections,
x16 devices
I/O3
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O4
I/O7
AI09374
NAND Flash
(x8)
12
1
13
24
25
36
37
48
E
I/O1
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O5
NC
I/O0
NC
PRL
VDD
NC
VSS
NC
I/O3
I/O9
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O14
I/O12
I/O10
I/O4
I/O7
AI09375
NAND Flash
(x16)
12
1
13
24
25
36
37
48
I/O8
E
I/O1
I/O11
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O13
I/O15
I/O5
VSS
NC
VSS
I/O0
NC
PRL
NC
VDD
相关PDF资料
PDF描述
NAND512W3B3BN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3B3AN1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BN1F 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR4B3AN1 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND512R4A2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R4A2CZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel