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参数资料
| 型号： | NAND512R3B3BZA6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件页数： | 38/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND512R3B3BZA6E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 24. AC Characteristics for Command, Address, Data Input
Note: 1. If tELWL is less than 10ns, tWLWH must be minimum 35ns, otherwise, tWLWH may be minimum 25ns.
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
1.8V
Devices
3V
Devices
Unit
tALLWL
tALS
Address Latch Low to Write Enable Low
AL Setup time
Min
0
ns
tALHWL
Address Latch High to Write Enable Low
tCLHWL
tCLS
Command Latch High to Write Enable Low
CL Setup time
Min
0
ns
tCLLWL
Command Latch Low to Write Enable Low
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
E Setup time
Min
0
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL Hold time
Min
10
ns
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch High
CL hold time
Min
10
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E Hold time
Min
10
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High Hold
time
Min
20
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W Pulse Width
Min
25(1)
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
50
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3B3BN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND512W3B3AN1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BN1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R4A2CZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays |
| NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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