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参数资料
| 型号： | NAND512R3B3BZA6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件页数： | 47/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND512R3B3BZA6E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor RP can be calculated using
the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. RP max is
determined by the maximum value of tr.
Figure 35. Ready/Busy AC Waveform
Figure 36. Ready/Busy Load Circuit
Figure 37. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
RPmin
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
------------------------------------------------------------
=
RPmin 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
RPmin 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
ai07565B
RP (K)
12
3
4
100
300
200
t r
,t
f
(ns)
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t r
,t
f
(ns)
ibusy
(mA)
60
90
120
0.57
0.43
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3B3BN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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