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参数资料
| 型号： | NAND512R3M0BZBE |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 10/22页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | NAND512R3M0BZBE |
Package Mechanical
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
18/22
Figure 8.
TFBGA149 10x13.5mm - 12x16 active ball array, 0.80mm pitch, Bottom Outline
A2
A1
A
BGA-Z78
ddd
D
E
e
b
SE
FD
FE
E1
e
SD
D1
BALL "A1"
Table 7.
TFBGA149 10x13.5mm - 12x16 active ball array, 0.80mm pitch, Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.250
0.0098
A2
0.800
0.0315
b
0.450
0.400
0.500
0.0177
0.0157
0.0197
D
10.000
9.900
10.100
0.3937
0.3898
0.3976
D1
8.800
0.3465
ddd
0.100
0.0039
E
13.500
13.400
13.600
0.5315
0.5276
0.5354
E1
12.000
0.4724
e
0.800
–
0.0315
–
FD
0.600
0.0236
FE
0.750
0.0295
SD
0.400
–
0.0157
–
SE
0.400
–
0.0157
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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