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参数资料
| 型号： | NAND512R3M0BZBE |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 9/22页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | NAND512R3M0BZBE |
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Package Mechanical
17/22
3
Package Mechanical
Figure 7.
TFBGA107 10.5x13mm - 10x14 active ball array, 0.80mm pitch, Bottom Outline
1.
Drawing not to scale.
A2
A1
A
BGA-Z24
ddd
D
E
e
b
SE
FD
FE
E1
e
SD
D1
BALL "B1"
Table 6.
TFBGA107 10.5x13mm - 10x14 active ball array, 0.80mm pitch, Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.047
A1
0.25
0.010
A2
0.80
0.031
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.50
10.40
10.60
0.413
0.409
0.417
D1
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
13.00
12.90
13.10
0.512
0.508
0.516
E1
10.40
0.409
e0.80–
–
0.031
–
FD
1.65
0.065
FE
1.30
0.051
SD
0.40
0.016
SE
0.40
0.016
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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