参数资料
型号: NAND512R3M0BZBE
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封装: 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件页数: 6/22页
文件大小: 200K
代理商: NAND512R3M0BZBE
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
14/22
Figure 5.
TFBGA149 Connections (Top view through package)
1.
Balls shaded in gray are only present for NAND + DDR devices delivered in the TFBGA149 package.
AI11007b
DQM1
KE
A11
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
G
F
E
DU
WP
A0
BA0
DQ6
CAS
WF
BA1
DU
VDDD
9
NC
A7
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ13
VSSF
I/O0
I/O7
DU
VSSQD
DU
P
N
12
NC
RB
DQ2
NC
EF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSD
I/O1
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
VSSD
DQ8
DU
WD
NC
RAS
VDDF
NC
A10
DU
A8
DU
NC
DU
NC
VDDQD
NC
DU
10
11
T
R
NC
DU
VSSD
VDDD
DU
NC
I/O6
I/O5
A6
A12
NC
A2
A5
I/O4
NC
A4
NC
VDDF
VSSF
NC
I/O3
NC
DQ11
DQ14
DQ12
DQ9
VDDQD
VSSD
K
UDQS
I/O9
I/O8
I/O15
I/O14
I/O13
I/O10
I/O12
I/O11
LDQS
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