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参数资料
| 型号： | NAND512R3M0BZBE |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 12/22页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | NAND512R3M0BZBE |
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
2/22
Table 1.
Product List
Reference
Part Number
NAND Product
LPSDRAM Product
Package
NAND256-M
NAND256R3M0
256 Mbit (x8), 1.8V
256 Mbit SDR, (x16), 1.8V, 104MHz
TFBGA107
NAND256R4M3
256Mbit (x16) 1.8V
256 Mbit DDR (x16) 1.8V, 133MHz
TFBGA149
NAND256W3M4
256Mbit (x16) 3V
256 Mbit SDR (x16), 1.8V, 104MHz
TFBGA149
NAND512-M
NAND512R3M0
512 Mbit (x8), 1.8V
256 Mbit SDR (x16), 1.8V, 104MHz
TFBGA107
NAND512R4M3
256 Mbit DDR (x16) 1.8V, 133MHz
TFBGA149
NAND512R4M5
512 Mbit DDR (x16) 1.8V, 133MHz
TFBGA149
NAND512W3M2
512Mbit (x8) 3V
512Mbit SDR (2x16) (2x256Mbit
SDR x16) 1.8V,104Mhz
LFBGA 137
NAND01G-M
NAND01GW3M2
2 x 512Mbit NAND (x8) 3V
512 Mbit SDR (2x16) (2 x 256Mbit
SDR x16) 1.8V, 104MHz
LFBGA137
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2SN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48 |
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| NANDB9R4N2BZBA5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R4A2CZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays |
| NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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