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参数资料
| 型号： | NAND512R3M0BZBE |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封装： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107 |
| 文件页数： | 21/22页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | NAND512R3M0BZBE |
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
8/22
Table 2.
Signal Names: NAND Flash & 1 x SDR LPSDRAM
NAND Flash
I/O0-I/O7
Data Inputs/Outputs for x8 devices
I/O8-I/O15
Data Inputs/Outputs for x16 devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
EF
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
WF
Write Enable
WP
Write Protect
VDDF
Supply Voltage
VSSF
Ground
SDR LPSDRAM
A0-A12
Row Address: RA0-RA11
Column Address: CA0-CA8
Auto-precharge flag: A10
BA0-BA1
Bank Address
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
ED
Chip Select inputs
WD
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
Upper DQ Mask Enable Output
DQM1
Lower DQ Mask Enable Output
VDDD
Supply Voltage
VDDQD
Input/Output Supply Voltage
VSSD
Ground
VSSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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