参数资料
| 型号： | NCP1650EVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL NCP1650 PFC CTLR |
| 设计资源： | NCP1650EVB Schematic NCP1650EVB Bill of Materials NCP1650EVB Test Procedure NCP1650EVB Gerber Zip |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 电源管理，功率因数校正 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | NCP1650 |
| 已供物品： | 板 |
| 其它名称： | NCP1650EVB-ND NCP1650EVBOS |
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NCP1650
Typical Performance Characteristics
(Test circuits are located in the document TND307/D)
300
200
100
0
--100
--200
30
20
10
0
--10
--20
--300
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.2
0.4
0.6
--30
--0.3
--0.2
--0.1
0
0.1
0.2
0.3
PIN 6 VOLTAGE RELATIVE TO 4.0 V REF--BOOST CIRCUIT
Figure 10. Voltage Amplifier Gain
400
300
200
100
0
--100
--200
PIN 6 VOLTAGE RELATIVE TO 4.0 V REF--LINEAR REGION
Figure 11. Voltage Amplifier Gain
40
30
20
10
0
--10
--20
--30
--40
--300
--1.5
--1.0
--0.5
0
0.5
1.0
1.5
--50
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.2
0.4
0.6
PIN 9 VOLTAGE RELATIVE TO 2.5 V REF--BOOST CIRCUIT
Figure 12. Power Amplifier Gain
5.0
PIN 9 VOLTAGE RELATIVE TO 2.5 V REF--LINEAR REGION
Figure 13. Power Amplifier Gain
4.5
4.0
3.5
PIN 11
PIN 10
3.0
2.5
2.0
I S-- (pin 12)
100 mV/div
GND
1.5
1.0
0.5
0
--50
0
50
100
150
V IS-- (mV)
200
250
300 350
I avg fltr (pin 11)
200 mV/div
Ch 1 200 mV BW
Ch 4
M 1.00 m s
100 mV Ω BW
Ch 4 --58 mV
GND
C11 = 1 nF
Figure 14. Current Sense Amplifier Gain
Figure 15. Current Sense Amplifier High
Frequency Response
http://onsemi.com
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCP1652DR2G | 功能描述:功率因数校正 IC ANA PFC CONTROLLER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
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