参数资料
| 型号： | NCP5314MNR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR BUCK CPU 2/3/4PH 32QFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 控制器，CPU |
| 输入电压： | 9.5 V ~ 13.2 V |
| 输出数： | 4 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCP5314MNR2OSCT |
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NCP5314
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (0 ° C < T A < 70 ° C; V CC = 12 V; C GATEx = 100 pF, C COMP = 0.01 μ F,
C SS = 0.1 μ F, C VCC = 0.1 μ F, R ROSC = 32.4 k Ω , V(I LIM ) = 1.0 V, DAC Code 010100; unless otherwise noted)
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VID Inputs
Input Threshold
VID Pin Current
SGND Bias Current
SGND Voltage Compliance Range
V ID5 , V ID4 , V ID3 , V ID2 , V ID1 , V ID0
V ID5 , V ID4 , V ID3 , V ID2 , V ID1 , V ID0 = 0 V
SGND < 300 mV, All DAC Codes
?
400
?
10
?200
600
0.1
20
?
800
1.0
40
300
mV
μ A
μ A
mV
Power Good
Upper Threshold, Offset from No Load Set Point
85
100
115
mV
Lower Threshold Constant
Output Low Voltage
Delay
PWRGDS/No Load Set Point
V FFB = 1.0 V, I PWRGD = 4.0 mA
V FFB low to PWRGD low
0.475
?
50
0.500
0.15
232
0.525
0.40
600
V/V
V
μ s
Overvoltage Protection
OVP Threshold above VID
?
170
200
250
mV
Enable Input
Start Threshold
Stop Threshold
Hysteresis
Input Pull?Up Voltage
Input Pull?Up Resistance
Gates switching, SS high
Gates not switching, SS low
?
1.0 M Ω to GND
?
0.6
0.4
?
2.7
7.0
0.7
0.5
200
2.9
10
0.8
0.6
?
3.3
20
V
V
mV
V
k Ω
Voltage Feedback Error Amplifier
V FB Bias Current
COMP Source Current
COMP Sink Current
Transconductance
Open Loop DC Gain
Unity Gain Bandwidth
PSRR @ 1.0 kHz
COMP Max Voltage
COMP Min Voltage
?
COMP = 0.5 V to 2.0 V
?
(Note 2)
(Note 2)
C COMP = 30 pF (Note 2)
(Note 2)
V FB = 0 V
V FB = 1.6 V
?
40
40
1.1
72
?
?
2.4
?
0.1
70
70
1.3
80
4.0
60
2.7
50
1.0
100
100
1.5
?
?
?
?
150
μ A
μ A
μ A
mmho
dB
MHz
dB
V
mV
PWM Comparators
Minimum Pulse Width
Measured from CSxP to GATEx,
?
40
100
ns
V FB = CSxN = 0.5, COMP = 0.5 V,
60 mV step between CSxP and CSxN;
Measure at GATEx = 1.0 V
Transient Response Time
Measured from CSxN to GATEx,
?
40
60
ns
COMP = 2.1 V, CSxP = CSxN = 0.5 V,
CSxN stepped from 1.2 V to 2.0 V
Channel Startup Offset
CSxP = CSxN = V FB = 0, Measure
0.35
0.62
0.75
V
Vcomp when GATEx switch high
Artificial Ramp Amplitude
50% duty cycle
?
100
?
mV
MOSFET Driver Enable (DRVON)
Output High
Output Low
Pull?Down Resistance
DRVON floating
?
DRVON = 1.5 V, ENABLE = 0 V,
2.3
?
35
?
?
70
?
0.2
140
V
V
k Ω
R = 1.5 V/I(DRVON)
Source Current
DRVON = 1.5 V
0.5
3.0
6.5
mA
2. Guaranteed by design, not tested in production.
http://onsemi.com
6
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