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参数资料
| 型号： | NCP5359DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC |
| 产品变化通告： | NCP5359 Electrical Change 15/Sept/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 10ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 35V |
| 电源电压： | 10 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5359DR2GOSDKR |
NCP5359
BST
VCC
ChipEN
Level Shift
and
DRVH
EN
Fault
Driver
PWM
DRVH Comparator
PWM > 2.2 V = 1, Else = 0
Falling Edge Delay
UVLO
Fault
1.0 V
+
l
SW
Thermal Shutdown
ChipEN
SW
FPWM Comparator
0.8 V < PWM < 2.2 V = 1,
Else 0
+
Pre ? Over voltage
Pre ? OV
EN
2 V/1 V
l
+
GND
1 mV
GND
l
+
?
R
Q
S
Q
Falling Edge Delay
ChipEN
V CC
+
?
DRVL
Driver
Pre ? OV
Figure 1. Internal Block Diagram
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5359MNR2G | 功能描述:功率驱动器IC SINGLE GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5360AMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC NCP5360A 48A SETUP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5360RMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5366MNR2G | 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5369 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Driver and MOSFET |
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