参数资料
型号: NCP5359DR2G
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC
产品变化通告: NCP5359 Electrical Change 15/Sept/2008
标准包装: 1
配置: 高端和低端,同步
输入类型: PWM
延迟时间: 10ns
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 35V
电源电压: 10 V ~ 13.2 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: NCP5359DR2GOSDKR
NCP5359
4 V to 15 V
*Option
PWM
EN
10 V to 13.2 V
BST
PWM
EN
VCC
VCC
DRVH
SW
GND
GND
DRVL
VOUT
Figure 2. Typical Application
PIN DESCRIPTION
SOIC ? 8
1
2
3
4
5
6
7
8
DFN10
1
2
3
4, 5
6
7, 8
9
10
Symbol
BST
PWM
EN
VCC
DRVL
GND
SW
DRVH
Description
Upper MOSFET Floating Bootstrap Supply Pin
PWM Input Pin
When PWM voltage is higher than 2.2 V, DRVH will set to 1 and DRVL set to 0
When PWM voltage is lower than 0.8 V, DRVL will set to 1 and DRVH set to 0
When 0.8 V < PWM < 2.2 V and SW < 0, DRVL will set to 1
When 0.8 V < PWM < 2.2 V and SW > 0, DRVL will set to 0
Enable Pin
When OVP, TSD or UVLO has happened, the gate driver will pull the pin to low
Connect to Input Power Supply 10 V to 13.2 V
Low Side Gate Drive Output
Ground Pin
Switch Node Pin
High Side Gate Drive Output
http://onsemi.com
3
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