参数资料
| 型号： | NCV3012DTBR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 14TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 88kHz |
| 占空比： | 86% |
| 电源电压： | 4.7 V ~ 28 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP3012
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( ? 40 ° C < T J < +125 ° C, V CC = 12 V, for min/max values unless otherwise noted)
Characteristic
Input Voltage Range
Conditions
?
Min
4.7
Typ
Max
28
Unit
V
SUPPLY CURRENT
Quiescent Supply Current
V CC Supply Current
V CC Supply Current
EN = 0 V CC = 12 V
V FB = 0.75 V, Switching, V CC = 4.7 V
V FB = 0.75 V, Switching, V CC = 28 V
?
?
?
2.5
5.8
6.0
4.0
8.0
12
mA
mA
mA
UNDER VOLTAGE LOCKOUT
UVLO Rising Threshold
UVLO Falling Threshold
V CC Rising Edge
V CC Falling Edge
3.8
3.5
4.3
4.0
4.7
4.3
V
V
OSCILLATOR
Oscillator Frequency
Ramp ? Amplitude Voltage
Ramp Valley Voltage
T J = +25 ° C, 4.7 V v V CC v 28 V
T J = ? 40 ° C to +125 ° C, 4.7 V v V CC v 28 V
V peak ? V alley
65
62
?
0.44
75
75
1.5
0.8
85
88
?
0.96
kHz
kHz
V
V
PWM
Minimum Duty Cycle
Maximum Duty Cycle
?
82
7
86
?
?
%
%
Soft Start Ramp Time
V FB = V COMP
?
14
?
ms
EXTERNAL VOLTAGE REFERENCE
VREF Voltage
VREF Line Regulation
VREF Load Regulation
Short Circuit Output Current
I REF = 1 mA
V CC = 4.7 V ? 28 V
I REF = 0 mA to 1.5 mA
V REF = 0 V
1.14
? 1
? 2
4.5
1.25
?
? 0.2
5.7
1.35
+1
+2
7.0
V
%
%
mA
ENABLE
Enable Threshold High
Enable Threshold Low
Enable Source Current
?
1.0
20
?
?
50
3.4
?
90
V
V
m A
POWER GOOD
Power Good High Threshold
Power Good Low Threshold
Power Good Low Voltage
V CC = 12 V
V CC = 12 V
V CC = 12 V, I PG = 4 mA
0.72
0.65
0.13
0.89
0.71
0.22
1.06
0.75
0.35
V
V
V
SYNC
SYNC Input High Threshold
?
?
2.0
V
SYNC Output High
SYNC Output Low
Phase Delay
SYNC Drive Current (Sourcing)
Master Threshold Current
Master Frequency
10 m A load
(Note 4)
?
?
?
?
5.0
70
5.0
90
200
1.6
14.4
85
?
?
?
?
25
100
V
mV
°
mA
m A
kHz
Guaranteed by design.
The voltage sensed across the high side MOSFET during conduction.
This assumes 100 pF capacitance to ground on the COMP Pin and a typical internal R o of > 10 M W .
This is not a protection feature.
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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