参数资料
| 型号： | NCV3012DTBR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 14TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 88kHz |
| 占空比： | 86% |
| 电源电压： | 4.7 V ~ 28 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP3012
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( ? 40 ° C < T J < +125 ° C, V CC = 12 V, for min/max values unless otherwise noted)
Characteristic
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ERROR AMPLIFIER (GM)
Transconductance
0.9
1.33
1.9
mS
Open Loop dc Gain
Output Source Current
Output Sink Current
FB Input Bias Current
Feedback Voltage
COMP High Voltage
COMP Low Voltage
(Notes 4 and 6)
T J = 25 C
? 40 ° C < T J < +125 ° C,
4.7 V < V IN < 28 V
V FB = 0.75 V
V FB = 0.85 V
?
45
45
?
0.792
0.788
4.0
?
70
70
70
0.5
0.8
0.8
4.4
60
?
100
100
500
0.808
0.812
5.0
?
dB
m A
m A
nA
V
V
V
mV
OUTPUT VOLTAGE FAULTS
Feedback OOV Threshold
Feedback OUV Threshold
0.8
0.55
1.0
0.59
1.1
0.65
V
V
OVER CURRENT
ISET Source Current
7.0
14
18
m A
Current Limit Set Voltage (Note 5)
R SET = 22.2 k W
140
240
360
mV
GATE DRIVERS AND BOOST CLAMP
HSDRV Pullup Resistance
HSDRV Pulldown Resistance
LSDRV Pullup Resistance
LSDRV Pulldown Resistance
HSDRV falling to LSDRV Rising
Delay
LSDRV Falling to HSDRV Rising
Delay
Boost Clamp Voltage
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND, 100 mA out of HSDR pin
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND, 100 mA into HSDR pin
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND, 100 mA out of LSDR pin
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND, 100 mA into LSDR pin
V CC and V BST = 8 V
V CC and V BST = 8 V
V IN = 12 V, V SW = GND, V COMP = 1.3 V
4.0
2.0
3.0
1.0
50
60
5.5
10.5
5.0
8.9
2.8
85
85
7.5
20
11.5
16
6.0
110
120
9.6
W
W
W
W
ns
ns
V
THERMAL SHUTDOWN
Thermal Shutdown
Hysteresis
(Notes 4 and 7)
(Notes 4 and 7)
?
?
150
15
?
?
° C
° C
4.
5.
6.
7.
Guaranteed by design.
The voltage sensed across the high side MOSFET during conduction.
This assumes 100 pF capacitance to ground on the COMP Pin and a typical internal R o of > 10 M W .
This is not a protection feature.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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