参数资料
| 型号： | NCV8401DTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOSIDE 33A 42V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 23 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8401DTRKG-ND NCV8401DTRKGOSTR |
NCV8401, NCV8401A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
10,000
10
T Jstart = 25 ° C
1,000
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
L (mH)
100
100
10
L (mH)
100
100
Figure 2. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
10,000
Figure 3. Single Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
10
1,000
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
1
10
100
1
100
Time in Clamp (ms)
Figure 4. Single Pulse Maximum Inductive
Switch ? off Current vs. Time in Clamp
Time in Clamp (ms)
Figure 5. Single Pulse Maximum Inductive
Switching Energy vs. Time in Clamp
45
40
35
6V
7V
8V
9V
10 V
30
25
? 40 ° C
25 ° C
30
25
20
15
10
5
5V
4V
3V
V GS = 2.5 V
20
15
10
5
100 ° C
150 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V DS (V)
Figure 6. On ? state Output Characteristics
at 25 5 C
V GS (V)
Figure 7. Transfer Characteristics (V DS = 10 V)
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCV8402ASTT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT3G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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