参数资料
| 型号： | NCV8401DTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOSIDE 33A 42V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 23 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8401DTRKG-ND NCV8401DTRKGOSTR |
NCV8401, NCV8401A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
250
225
200
175
150
125
100
75
50
PCB Cu thickness, 1.0 oz
25
0
100
200
300
PCB Cu thickness, 2.0 oz
400 500 600 700
800
COPPER HEAT SPREADER AREA
(mm 2 )
Figure 20. R q JA vs. Copper Area
100
50% Duty Cycle
10
1
20%
10%
5%
2%
1%
0.1
0.01
Single Pulse
0.001
1E ? 06 0.00001
0.0001
0.001
Psi Tab ? A
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH (sec)
Figure 21. Transient Thermal Resistance
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCV8402ADDR2G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT3G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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