参数资料
| 型号： | NCV8401DTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOSIDE 33A 42V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 23 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8401DTRKG-ND NCV8401DTRKGOSTR |
NCV8401, NCV8401A
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
L
VDS
VIN
tp
RG
D
G DUT
S
VDD
+
?
IDS
Figure 24. Inductive Load Switching Test Circuit
5V
VIN
VDS
IDS
T av
T p
V (BR)DSS
I pk
VDD
V DS(on)
Figure 25. Inductive Load Switching Waveforms
http://onsemi.com
9
0V
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8402ADDR2G | IC DVR LOW SIDE 8-SOIC |
| NCV8402ASTT1G | IC DVR LO SIDE 42V 2.0A SOT223-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NCV8402A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8402ADDR2G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT3G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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