参数资料
| 型号： | NCV8401DTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOSIDE 33A 42V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 23 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV8401DTRKG-ND NCV8401DTRKGOSTR |
NCV8401, NCV8401A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.2
1.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
? 40 ° C
25 ° C
100 ° C
150 ° C
0.6
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120 140
0.4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
200
150
100
T ( ° C)
Figure 14. Normalized Threshold Voltage vs.
Temperature (I D = 1.2 mA, V DS = V GS )
t d(off)
2.0
1.5
1.0
I S (A)
Figure 15. Source ? Drain Diode Forward
Characteristics (V GS = 0 V)
? dV DS /d t(on)
50
t f
0.5
dV DS /d t(off)
0
3
t d(on)
4
5
6
7
8
9
t r
10
0
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS (V)
Figure 16. Resistive Load Switching Time vs.
Gate ? Source Voltage
(V DD = 25 V, I D = 5 A, R G = 0 W )
V GS (V)
Figure 17. Resistive Load Switching
Drain ? Source Voltage Slope vs. Gate ? Source
Voltage (V DD = 25 V, I D = 5 A, R G = 0 W )
125
100
75
t d(off) , V GS = 10 V
t d(off) , V GS = 5 V
t f , V GS = 10 V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
? dV DS /d t(on) , V GS = 10 V
50
25
t d(on) , V GS = 5 V t d(on) , V GS = 10 V
t f , V GS = 5 V
t r , V GS = 5 V
t r , V GS = 10 V
0.8
0.6
0.4
0.2
dV DS /d t(off) , V GS = 5 V
? dV DS /d t(on) , V GS = 5 V
dV DS /d t(off) , V GS = 10 V
0
0
500
1000
1500
2000
0
0
500
1000
1500
2000
R G ( W )
Figure 18. Resistive Load Switching Time vs.
Gate Resistance (V DD = 25 V, I D = 5 A)
http://onsemi.com
6
R G ( W )
Figure 19. Drain ? Source Voltage Slope during
Turn On and Turn Off vs. Gate Resistance
(V DD = 25 V, I D = 5 A)
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PDF描述 |
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| NCV8402ADDR2G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT3G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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