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参数资料
| 型号： | NCV8406STT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | * |
NCV8406, NCV8406A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1000
100
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
100
10
10
100
10
1
L (mH)
Figure 2. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1000
100
L (mH)
Figure 3. Single ? Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
0.1
1
10
10
1
10
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 4. Single Pulse Maximum Inductive
Switch ? off Current vs. Time in Clamp
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 5. Single ? Pulse Maximum Inductive
Switching Energy vs. Time in Clamp
12
10
6V
7V
8V
9V
10 V
12
9
V DS = 10 V
? 40 ° C
25 ° C
8
5V
100 ° C
6
4
T a = 25 ° C
4V
3.3 V
3V
6
3
150 ° C
2
V GS = 2.5 V
0
0
5
10
15
0
0
1
2
3
4
5
V DS (V)
Figure 6. On ? state Output Characteristics
http://onsemi.com
4
V GS (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8403ASTT3G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
| A9CAG-0202F | FLEX CABLE - AFG02G/AF02/AFE02T |
| A9BAA-0205F | FLEX CABLE - AFF02A/AF02/AFE02T |
| R1S12-3.324-R | CONV DC/DC 1W 3.3VIN 24VOUT |
| GBC13DRYS | CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8408-D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8408DTRKG | 功能描述:MOSFET 42V 8A FULLY PROTECTED LO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8440 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection |
| NCV8440ASTT1G | 功能描述:MOSFET 2.6A, 52V N-CH, CLAM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8440ASTT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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