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参数资料
| 型号： | NCV8406STT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | * |
NCV8406, NCV8406A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
110
100
110
100
90
80
70
PCB Cu thickness, 1.0 oz
90
80
70
60
PCB Cu thickness, 2.0 oz
60
PCB Cu thickness, 1.0 oz
50
40
100
200
300
400
500
600
50
40
100
200
PCB Cu thickness, 2.0 oz
300 400 500
600
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 19. R q JA vs. Copper Area ? SOT ? 223
1000
100 50% Duty Cycle
20%
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 20. R q JA vs. Copper Area ? DPAK
10
1
0.1
0.01
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Resistance ? SOT ? 223 Version
100
50% Duty Cycle
10
20%
10%
5%
2%
1 1%
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 22. Transient Thermal Resistance ? DPAK Version
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NCV8403ASTT3G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCV8440ASTT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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