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参数资料
| 型号： | NCV8406STT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | * |
NCV8406, NCV8406A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
600
550
500
450
150 ° C
ID = 2 A
ID = 0.5 A
500
450
400
350
150 ° C, V GS = 5 V
150 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, V GS = 5 V
400
350
300
250
200
100 ° C
25 ° C
300
250
200
150
25 ° C, V GS = 5 V
25 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, V GS = 10 V
? 40 ° C, V GS = 5 V
150
100
3
4
5
? 40 ° C
6
7
8
9
10
100
50
0.5 0.75
1
1.25 1.5 1.75
2
? 40 ° C, V GS = 10 V
2.25 2.5 2.75
3
2.5
V GS (V)
Figure 8. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
15
I D (A)
Figure 9. R DS(on) vs. Drain Current
2.0
I D = 2 A
V GS = 10 V
13
? 40 ° C
11
25 ° C
1.5
V GS = 5 V
9
100 ° C
7
1.0
5
150 ° C
0.5
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
3
4
5
6
7
8
V DS = 10 V
9
10
15
T ( ° C)
Figure 10. Normalized R DS(on) vs. Temperature
1000
V GS (V)
Figure 11. Current Limit vs. Gate ? Source
Voltage
13
V GS = 10 V
V DS = 10 V
100
10
11
9
V GS = 5 V
1
0.1
150 ° C
100 ° C
0.01 25 ° C
7
5
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120 140
0.001
0.0001
? 40 ° C
10
20
30
40
50
V GS = 0 V
60
70
T J ( ° C)
Figure 12. Current Limit vs. Junction
Temperature
http://onsemi.com
5
V DS (V)
Figure 13. Drain ? to ? Source Leakage Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8403ASTT3G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
| A9CAG-0202F | FLEX CABLE - AFG02G/AF02/AFE02T |
| A9BAA-0205F | FLEX CABLE - AFF02A/AF02/AFE02T |
| R1S12-3.324-R | CONV DC/DC 1W 3.3VIN 24VOUT |
| GBC13DRYS | CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8408-D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8408DTRKG | 功能描述:MOSFET 42V 8A FULLY PROTECTED LO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8440 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection |
| NCV8440ASTT1G | 功能描述:MOSFET 2.6A, 52V N-CH, CLAM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8440ASTT3G | 功能描述:MOSFET N-CH 2.6A 52V SOT-223-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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