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参数资料
| 型号： | NDB5060L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDB5060LDKR |
Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I S
I SM
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
26
78
A
A
V SD
t rr
I rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
V GS = 0 V, I S = 13 A (Note 1)
V GS = 0 V, I F = 26 A,
dI F /dt = 100 A/μs
0.9
54
2.1
1.3
120
8
V
ns
A
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
2.2
62.5
° C/W
° C/W
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDP5060L Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB6060 | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| NDB7060 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB508A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB508AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB508B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB508BE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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